Samsung LSI stellt derzeit den Snapdragon 820 von Qualcomm auf seinem 14-nm-LPP-FinFET-Knoten der zweiten Generation her, und es sieht so aus, als hätte das südkoreanische Unternehmen auch einen Vertrag für den 10-nm-Snapdragon 830 des nächsten Jahres abgeschlossen. Dies geht aus den koreanischen ET News hervor, die besagen, dass der SoC im Galaxy S8 verwendet wird. Samsung wird wahrscheinlich die gleiche Strategie beibehalten, die es für das Galaxy S7 und das S7 Edge verfolgt hat, wobei US-Modelle vom Snapdragon 830 angetrieben werden, während die globale Version das kommende Exynos 8895 ausführt.
Wie das Snapdragon 830 basiert auch das Samsung-eigene Exynos 8895 auf dem 10-nm-Herstellungsprozess. ET News schreibt auch, dass Qualcomm und Samsung an der Entwicklung einer FoPLP-Technologie (Fan-Out Panel Level Package) arbeiten, bei der keine gedruckte Leiterplatte für das Gehäusesubstrat erforderlich ist, das in Snapdragon 830 und Exynos 8895 verwendet wird.
Wir wissen nicht viel über SoC, aber es sieht so aus, als würde Samsung durch den Wechsel auf 10nm deutlich höhere Frequenzen erreichen. Ein Exynos 8895-Leck aus dem August deutet darauf hin, dass Samsung 4 GHz auf seinem benutzerdefinierten Mongoose-Kern erreicht und 2, 7 GHz auf dem Cortex A53-Kern erreicht. Es wird interessant sein zu sehen, welche Leistungssteigerungen Qualcomm mit seiner Kryo-CPU-Implementierung erzielt.
