Samsung hat angekündigt, dass das weltweit erste 1-TB-integrierte Universal Flash Storage 2.1 (eUFS) -Modul für Mobiltelefone in Serie hergestellt wird. Der Zeitpunkt der Markteinführung legt nahe, dass der Speicherchip möglicherweise auf dem Galaxy S10 installiert wird. Samsung stellte fest, dass das Modul selbst dieselbe Größe hat wie der 512-GB-Chip des Galaxy Note 9.
Samsung kann dies durch die Nutzung der V-NAND-Technologie erreichen, bei der NAND-Zellen vertikal gestapelt werden, um die Dichte und Effizienz zu maximieren. Samsung kündigt sequentielle Lesegeschwindigkeiten von bis zu 1000 Mbit / s und Schreibgeschwindigkeiten von 260 Mbit / s an, wodurch das Speichermodul auch bei 960 fps eine kontinuierliche Videoaufnahme ermöglichen soll.
Laut Cheol Choi, Vice President of Memory Marketing bei Samsung, wird das 1-TB-eUFS-Modul eine Schlüsselrolle dabei spielen, "der nächsten Generation mobiler Geräte ein Notebook-ähnlicheres Benutzererlebnis zu bieten". Der CEO von Samsung für mobile Geräte, DJ Koh, sagte Anfang dieser Woche in einem Interview, dass das Galaxy S10 die Kundenerwartungen erfüllen wird. 1 TB interner Speicher ist eine Möglichkeit, dies zu tun.
